サムスン、エヌビディア向け次世代HBMの「ベースダイ」にTSMCの3nmを採用と韓国紙報道

報道の内容

ロイター通信は10月18日、韓国紙ソウル経済新聞の報道として、サムスン電子がエヌビディアの次世代カスタムHBMの「ベースダイ」を、台湾TSMCの3ナノメートル（nm）プロセスで製造すると伝えました（The Star／ロイター（外部サイトが新しいタブで開きます））。同紙によると、サムスンがHBMの製造段階でTSMCと組むのは初めてです。これは報道ベースの情報で、ロイターの記事には3社のコメントは含まれていません。

同紙は業界関係者の話として、エヌビディアがサムスン、SKハイニックス、マイクロンに対し、NVHBMのベースダイにはTSMCのプロセスを、記憶を担うコアダイには第6世代のDRAM技術を使うよう求めたと伝えています。サムスンは社内で検討したうえでこの要求を受け入れ、標準のHBMや他の顧客向けのカスタム品では自社生産を続ける方針とされます。また、需要がTSMCの生産能力を上回った場合に、自社のファウンドリー（受託製造部門）でベースダイを作れるか検討しているとも報じられています。

HBMとベースダイとは

HBM（高帯域幅メモリ）は、DRAMチップを縦に積み重ね、TSV（チップを貫く微細な電極）でつないだメモリで、GPUなどのAI半導体に大量のデータを高速で送ります（サムスン電子 HBM製品ページ（外部サイトが新しいタブで開きます））。積み重ねたDRAM（コアダイ）の一番下には、制御回路などを載せたロジック用のチップがあり、これをベースダイと呼びます。サムスンの製品ページでは、同社のHBM4とHBM4Eのベースダイは4nmのロジック工程で作られています。

エヌビディアが8月26日に発表したNVHBMは、これまでAI半導体の側にあったメモリコントローラー（メモリとのデータのやり取りを管理する回路）を、HBMのベースダイに組み込む方式です（NVIDIA公式ブログ（外部サイトが新しいタブで開きます））。同社は標準のHBM4Eと比べ、帯域幅が最大30%増え、HBMの消費電力が最大15%減り、演算チップの面積を最大25%多く使えると説明しています。複数のメモリメーカーから同じ仕様で供給できる標準的な実装を整えるとしており、最初の取り組み先はアマゾン傘下のAnnapurna Labsです。

ベースダイが単なる土台から、先端のロジック回路を載せる部品に変わりつつあるため、メモリメーカーだけでなく、ロジック半導体の製造会社の役割が大きくなっています。

各社の動き

台湾の調査会社TrendForceは10月9日、韓国メディアの報道を引用し、サムスンが顧客の要望に応じて自社製とTSMC製のベースダイを使い分ける方式を検討していると伝えました（TrendForce（外部サイトが新しいタブで開きます））。同じ記事は、マイクロンがHBM4Eのベースダイ生産を外部（TSMCが有力）に移すこと、SKハイニックスがHBM4のベースダイに既にTSMCの12nmプロセスを使っていることなども、報道として紹介しています。

企業への意味

AI向けサーバーの性能や供給量は、GPUだけでなくHBMと、その製造を担う複数の企業の連携に左右されるようになっています。ベースダイの製造を特定の先端工程に頼る形が広がれば、その生産能力がHBMの供給量や時期にも影響し得ます。今回の内容は公式発表ではないため、各社の正式な発表を確認する必要があります。